申请/专利权人：无锡德力芯半导体科技有限公司

申请日：2021-05-14

公开（公告）日：2021-11-19

公开（公告）号：CN214797381U

主分类号：H01L23/13(20060101)

分类号：H01L23/13(20060101);H01L23/495(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.11.19#授权

摘要：本实用新型公开了一种双层式双芯片装载区IGBT封装装置，涉及封装装置技术领域。本实用新型包括IGBT本体，IGBT本体的内部开设有第一槽道，第一槽道的内部装设有放置板、第一芯片托盘、第二芯片托盘，第二芯片托盘和第一芯片托盘之间螺纹配合有四个螺纹杆。本实用新型通过在IGBT本体内部装设用于调节第一芯片托盘、第二芯片托盘的螺纹杆，便捷了对芯片的放置、取出，皮带的设置，实现了一螺纹杆对第一芯片托盘、第二芯片托盘进行调节的效果，使得对第一芯片托盘、第二芯片托盘调节的过程更加便捷，把第一芯片托盘、第二芯片托盘设置成上下两层，在安装时可以节约空间，便捷了对第一芯片托盘、第二芯片托盘进行取出并放置芯片。

主权项：1.一种双层式双芯片装载区IGBT封装装置，其特征在于，包括：IGBT本体1，IGBT本体1的内部开设有第一槽道12，第一槽道12的内部装设有放置板14、第一芯片托盘8、第二芯片托盘9，第二芯片托盘9和第一芯片托盘8之间螺纹配合有四个螺纹杆4，螺纹杆4两端的螺纹方向相反；相邻两螺纹杆4之间传动配合有皮带10，第一槽道12的内部转动配合有转动杆6，转动杆6的一端与其中一个螺纹杆4啮合，第一芯片托盘8、第二芯片托盘9的内部均装设有芯片。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 无锡德力芯半导体科技有限公司 双层式双芯片装载区IGBT封装装置

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