申请/专利权人:一道新能源科技(衢州)有限公司
申请日:2021-02-25
公开(公告)日:2021-11-19
公开(公告)号:CN214797433U
主分类号:H01L31/068(20120101)
分类号:H01L31/068(20120101);H01L31/0216(20140101);H01L31/0236(20060101);H01L31/18(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2021.11.19#授权
摘要:本发明实施例提供了一种IBC太阳能电池,该IBC太阳能电池包括晶硅衬底,在晶硅衬底的正面,由内到外依次制备有磷掺杂层和第一氧化硅层;在晶硅衬底的背面,由内到外依次制备有第一硼扩散层和第二氧化硅层;另外还包括第一磷扩散层、第二磷扩散层和第一金属电极;还包括第一硼扩散层、第二硼扩散层和第二金属电极。由于本申请中的采用第一氧化硅层作为钝化减反层,该第一氧化硅层采用微纳结构结合原子层沉积工艺制备而成,在实现表面钝化的同时,降低了正面的光反射和钝化膜寄生光吸收,从而提高了对太阳光的光学转化率。
主权项:1.一种IBC太阳能电池,其特征在于,包括晶硅衬底,其中:在所述晶硅衬底的正面,由内到外依次制备有磷掺杂层和第一氧化硅层,所述第一氧化硅层通过微纳结构结合原子层沉积工艺制备而成;在所述晶硅衬底的背面,由内到外依次制备有第一硼扩散层和第二氧化硅层;在所述第一硼扩散层的局部制备有第一磷扩散层,所述第一磷扩散层的一侧与所述晶硅衬底接触,在所述第一磷扩散层的另一侧制备有第二磷扩散层,所述第二磷扩散层的掺磷浓度大于所述第一磷扩散层的掺磷浓度,在所述第二磷扩散层上制备有第一金属电极,所述第一金属电极暴露于所述第二氧化硅层的外表面之外;在所述第一硼扩散层的局部制备有第二硼扩散层,所述第二硼扩散层的一侧与所述第一硼扩散层接触,所述第二硼扩散层的硼掺杂浓度大于所述第一硼扩散层的掺硼浓度,所述第二硼扩散层的另一侧制备有第二金属电极,所述第二金属电极暴露于所述第二氧化硅层的外表面之外。
全文数据:
权利要求:
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