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【实用新型】包括双极晶体管的结构_意法半导体(克洛尔2)公司_202120426510.0 

申请/专利权人:意法半导体(克洛尔2)公司

申请日:2021-02-26

公开(公告)日:2021-11-19

公开(公告)号:CN214797424U

主分类号:H01L29/737(20060101)

分类号:H01L29/737(20060101);H01L29/08(20060101);H01L21/331(20060101)

优先权:["20200228 FR 2001986"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.11.19#授权

摘要:本公开的实施例涉及包括双极晶体管的结构。一种包括双极晶体管的结构,双极晶体管包括集电极、基极和发射极,结构包括:半导体衬底;在半导体衬底上的堆叠,堆叠相继包括:第一电绝缘层;第二电绝缘层,在第一电绝缘层上并且与第一电绝缘层接触,其中第二电绝缘层由与第一电绝缘层的材料不同的材料制成;以及半导体层,堆叠包括延伸穿过堆叠以到达半导体衬底的窗口;其中集电极、基极的本征部分和发射极在窗口中在半导体衬底上相继堆叠;其中在集电极与基极的本征部分之间的结由第二电绝缘层包围;以及其中半导体层形成双极晶体管的基极的非本征部分。利用本公开的实施例,获得的双极晶体管更坚固,同时更容易在工业规模上制造。

主权项:1.一种包括双极晶体管的结构,其特征在于,所述双极晶体管包括集电极、基极和发射极,所述结构包括:半导体衬底;在所述半导体衬底上的堆叠,所述堆叠相继包括:第一电绝缘层;第二电绝缘层,在所述第一电绝缘层上并且与所述第一电绝缘层接触,其中所述第二电绝缘层由与所述第一电绝缘层的材料不同的材料制成;以及半导体层,所述堆叠包括延伸穿过所述堆叠以到达所述半导体衬底的窗口;其中所述集电极、所述基极的本征部分和所述发射极在所述窗口中在所述半导体衬底上相继堆叠;其中在所述集电极与所述基极的所述本征部分之间的结由所述第二电绝缘层包围;以及其中所述半导体层形成所述双极晶体管的所述基极的非本征部分。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 意法半导体(克洛尔2)公司 包括双极晶体管的结构

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