申请/专利权人：爱思开海力士有限公司

申请日：2021-01-06

公开（公告）日：2021-11-23

公开（公告）号：CN113690247A

主分类号：H01L27/1159(20170101)

分类号：H01L27/1159(20170101);H01L27/11597(20170101)

优先权：["20200519 KR 10-2020-0060029"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.12.10#实质审查的生效;2021.11.23#公开

摘要：本公开提供了一种包含铁电层的三维结构的半导体器件。根据本公开实施例的半导体器件包括衬底以及设置在衬底上方的栅极结构。栅极结构包括孔图案，该孔图案包括在垂直于衬底的表面的方向上延伸的中心轴线。栅极结构包括沿着中心轴线交替地层叠的栅电极层与层间绝缘层。该半导体器件包括：铁电层，其在孔图案内与栅电极层的侧壁表面相邻地设置；以及沟道层，其在孔图案内与铁电层相邻地设置。在这种情况下，栅电极层和层间绝缘层中的一个相对于栅电极层和层间绝缘层中的另一个朝向孔图案的中心轴线突出。

主权项：1.一种半导体器件，包括：衬底；栅极结构，其设置在所述衬底上方并包括孔图案，其包括在垂直于所述衬底的表面的方向上延伸的中心轴线，以及栅电极层和层间绝缘层，它们沿所述中心轴线交替地层叠；铁电层，其在所述孔图案内与所述栅电极层的侧壁表面相邻地设置；和沟道层，其在所述孔图案内与所述铁电层相邻地设置，其中，所述栅电极层和所述层间绝缘层中的一个相对于所述栅电极层和所述层间绝缘层中的另一个朝向所述孔图案的所述中心轴线突出。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 爱思开海力士有限公司 包含铁电层的三维结构的半导体器件

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