申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2021-02-22

公开（公告）日：2021-11-23

公开（公告）号：CN113690235A

主分类号：H01L27/08(20060101)

分类号：H01L27/08(20060101);H01L21/822(20060101)

优先权：["20200915 US 17/021,706"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.12.10#实质审查的生效;2021.11.23#公开

摘要：本文中公开半导体器件及方法。在一个实例中，所公开的半导体器件包括：绝缘层；第一电极，具有侧壁及与绝缘层接触的底表面；第二电极，具有侧壁及与绝缘层接触的底表面；以及绝缘体，形成在第一电极与第二电极之间。所述绝缘体耦合到第一电极的侧壁且耦合到第二电极的侧壁。

主权项：1.一种半导体器件，包括：绝缘层；介电层，包括：第一电极，具有侧壁及与所述绝缘层接触的底表面，第二电极，具有侧壁及与所述绝缘层接触的底表面，以及绝缘体，形成在所述第一电极与所述第二电极之间，其中所述绝缘体耦合到所述第一电极的侧壁且耦合到所述第二电极的侧壁；以及至少一个金属层，位于所述介电层之上，其中：所述第一电极通过所述至少一个金属层电连接到逻辑高电压，所述第二电极通过所述至少一个金属层电连接到逻辑低电压。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件

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