申请/专利权人：松下知识产权经营株式会社

申请日：2021-05-10

公开（公告）日：2021-11-23

公开（公告）号：CN113690198A

主分类号：H01L23/31(20060101)

分类号：H01L23/31(20060101);H01L23/48(20060101);H01L23/498(20060101);H01L21/56(20060101);G01B7/16(20060101)

优先权：["20200519 JP 2020-087512"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.03#实质审查的生效;2021.11.23#公开

摘要：本公开提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置200具备：第1基板，具有第1端面和与所述第1端面相反侧的第2端面；多个第1电极，设置在所述第1端面；第2电极，设置在所述第2端面，与贴合在所述第2端面的第2基板的电极电连接；内部布线，设置在所述第1基板的内部，与所述第2电极电连接；多个第3电极，设置在所述第1基板的内部，将所述第1电极和所述内部布线电连接；和应变传感器，设置在所述第1基板的内部，测定在所述第1基板内产生的应变，所述第3电极的线膨胀系数大于所述第1基板的线膨胀系数。

主权项：1.一种半导体装置，具备：第1基板，具有第1端面和与所述第1端面相反侧的第2端面；多个第1电极，设置在所述第1端面；第2电极，设置在所述第2端面，与贴合在所述第2端面的第2基板的电极电连接；内部布线，设置在所述第1基板的内部，与所述第2电极电连接；多个第3电极，设置在所述第1基板的内部，将所述第1电极和所述内部布线电连接；和应变传感器，设置在所述第1基板的内部，测定在所述第1基板内产生的应变，所述第3电极的线膨胀系数大于所述第1基板的线膨胀系数。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 松下知识产权经营株式会社 半导体装置以及半导体装置的制造方法

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