申请/专利权人：华为数字能源技术有限公司

申请日：2021-07-06

公开（公告）日：2021-11-23

公开（公告）号：CN113690183A

主分类号：H01L21/78(20060101)

分类号：H01L21/78(20060101);H01L21/04(20060101);H01L21/268(20060101);H01L21/683(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.12.10#实质审查的生效;2021.11.23#公开

摘要：本申请实施例提供一种晶圆的减薄方法，涉及半导体技术领域，用于解决SiC功率器件良率低、工艺复杂、制备成本高的问题。晶圆或者理解为复合衬底，包括层叠设置的第一碳化硅层、介质层以及第二碳化硅层。晶圆具有相对的第一侧和第二侧，第二碳化硅层远离第一碳化硅层的一侧为晶圆的第一侧。晶圆的减薄方法，包括：在第二侧将临时衬底载片与晶圆临时键合；从第一侧对晶圆进行激光照射，使激光的能量在第二碳化硅层与介质层的界面处进行聚焦烧蚀，使得第二碳化硅层与介质层分离。

主权项：1.一种晶圆的减薄方法，其特征在于，所述晶圆包括层叠设置的第一碳化硅层、介质层以及第二碳化硅层；所述晶圆具有相对的第一侧和第二侧，所述第二碳化硅层远离所述第一碳化硅层的一侧为所述晶圆的所述第一侧；所述晶圆的减薄方法，包括：在所述第二侧将临时衬底载片与所述晶圆临时键合；从所述第一侧对所述晶圆进行激光照射，使激光的能量在所述第二碳化硅层与所述介质层的界面处进行聚焦烧蚀，使得所述第二碳化硅层与所述介质层分离。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华为数字能源技术有限公司 晶圆的减薄方法

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