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【发明公布】一种硅基红外上转换器件及其制备方法_苏州英凡瑞得光电技术有限公司_202111006508.9 

申请/专利权人:苏州英凡瑞得光电技术有限公司

申请日:2021-08-30

公开(公告)日:2021-11-23

公开(公告)号:CN113690375A

主分类号:H01L51/48(20060101)

分类号:H01L51/48(20060101);H01L51/44(20060101);H01L51/42(20060101);H01L51/46(20060101)

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2021.12.10#实质审查的生效;2021.11.23#公开

摘要:本发明提供了一种硅基红外上转换器件及其制备方法。该制备方法包括如下步骤:利用包含醇和碱的溶液的湿刻蚀溶液刻蚀具有窗口阵列的单晶硅基底,以在所述单晶硅基底的窗口阵列上形成锥形微纳结构;利用共蒸镀法在所述锥形微纳结构的表面沉积二硒化钼薄层结构,并退火,获得二硒化钼和硅的异质结;在所述单晶硅基底的与所述窗口阵列所在表面相反的另一表面形成底电极,在所述二硒化钼和硅的异质结上依次形成有机发光层和顶电极,从而制备获得硅基红外上转换器件。本发明方案极大提高了硅基红外上转换器件的探测波段上限,最大可以将硅基红外上转换器件的探测波段上限从现有技术中的1.1μm提高至1.8μm。

主权项:1.一种硅基红外上转换器件的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:利用包含醇和碱的溶液的湿刻蚀溶液刻蚀具有窗口阵列的单晶硅基底,以在所述单晶硅基底的窗口阵列上形成锥形微纳结构;利用共蒸镀法在所述锥形微纳结构的表面沉积二硒化钼薄层结构,并退火,获得二硒化钼和硅的异质结;在所述单晶硅基底的与所述窗口阵列所在表面相反的另一表面形成底电极,在所述二硒化钼和硅的异质结上依次形成有机发光层和顶电极,从而制备获得硅基红外上转换器件。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 苏州英凡瑞得光电技术有限公司 一种硅基红外上转换器件及其制备方法

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