【发明公布】一种双真空舱室晶圆质子辐照装置及辐照方法_国核铀业发展有限责任公司;北京核力同创科技有限公司;无锡市核力创芯科技有限公司_202111509361.5 

申请/专利权人:国核铀业发展有限责任公司;北京核力同创科技有限公司;无锡市核力创芯科技有限公司

申请日:2021-12-10

公开(公告)日:2022-01-07

公开(公告)号:CN113903490A

主分类号:G21K5/00(20060101)

分类号:G21K5/00(20060101);H01L21/263(20060101)

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2022.01.07#公开

摘要:本发明提供一种双真空舱室晶圆质子辐照装置及辐照方法,所述双真空舱室晶圆质子辐照装置包括:晶圆辐照真空舱和换片真空舱,所述晶圆辐照真空舱和换片真空舱通过连接真空段连通;所述连接真空段外设有屏蔽墙;所述晶圆辐照真空舱设置于辐照厅,所述换片真空舱设置于辐照前厅,所述屏蔽墙把所述辐照厅和辐照前厅密封隔离开。所述辐照装置非常适合于高能质子辐照,有利于大幅减轻工作人员所受到的射线伤害,可以实现晶圆的均匀化辐照,提高辐照质量,容量大,提高生产效率,保证了晶圆托盘平稳传输,有效到位,不会对大气造成活化,有助于从两个方面提高辐照精度能够实现高性能IGBT芯片的生产和软度因子大于2的快软恢复快软恢复二极管的制造。

主权项:1.一种双真空舱室晶圆质子辐照装置,其特征在于,包括:晶圆辐照真空舱和换片真空舱,所述晶圆辐照真空舱和换片真空舱通过连接真空段连通;所述连接真空段外设有屏蔽墙;所述晶圆辐照真空舱设置于辐照厅,所述换片真空舱设置于辐照前厅,所述屏蔽墙把所述辐照厅和辐照前厅密封隔离开。

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