申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2021-09-03

公开（公告）日：2022-01-14

公开（公告）号：CN215527730U

主分类号：H01L27/11568(20170101)

分类号：H01L27/11568(20170101);H01L27/11521(20170101);H01L27/1159(20170101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.01.14#授权

摘要：公开了一种存储器件。根据实施例，该存储器件可以包括：设于衬底上的竖直有源区，包括依次叠置的第一源漏层、沟道层和第二源漏层，第一源漏层、沟道层和第二源漏层各自实质上平行于衬底的表面延伸；围绕沟道层的外周的栅电极；以及介于栅电极与沟道层之间的电性存储层。根据实施例的存储器件可以具有高性能和高密度的优点。

主权项：1.一种存储器件，其特征在于，包括：设于衬底上的竖直有源区，包括依次叠置的第一源漏层、沟道层和第二源漏层，所述第一源漏层、所述沟道层和所述第二源漏层各自实质上平行于所述衬底的表面延伸；围绕所述沟道层的外周的栅电极；以及介于所述栅电极与所述沟道层之间的电性存储层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 存储器件

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