申请/专利权人：广州爱申特科技股份有限公司

申请日：2021-06-14

公开（公告）日：2022-01-14

公开（公告）号：CN215529425U

主分类号：H05K1/18(20060101)

分类号：H05K1/18(20060101);H05K1/11(20060101);H05K7/20(20060101);H01L23/31(20060101);H01L23/055(20060101);H01L25/07(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.01.14#授权

摘要：本实用新型提供一种大电流MOS管模块，包括金属导电基板，所述的金属导电基板上布置有若干个焊盘；所述的焊盘与场效应管元件的漏极D连接；所述的金属导电基板上安装有多个大电流MOS管；所述的金属导电基板上还设置有电路层和导电片，所述的场效应管元件源极S通过焊盘、金属导电基板上的电路层与导电片相连接；所述的场效应管的栅极G通过焊盘连接到金属导电基板上的电路层上。本实用新型的场效应管元件可以有效牢固焊接，对导电流和导热都十分有利，非常利于场效应管的正常工作；本实用新型的大电流MOS模块安装于设备上时，可以像安装肖特基功率二极管一样，非常方便，大电流MOS管模块有外罩和灌封胶层的防护，适应环境范围宽广。

主权项：1.一种大电流MOS管模块，其特征在于，包括金属导电基板1，所述的金属导电基板1上布置有若干个焊盘；所述的焊盘用于与场效应管元件2的漏极D连接；所述的金属导电基板1的四角上设置有相应大电流MOS管；所述的金属导电基板1上还设置有电路层3和导电片5，所述的电路层3上用于布设相应的电路；所述的场效应管元件2的源极S通过焊盘、金属导电基板1上的电路层3上的电路与导电片5相连接；并且所述的场效应管2的栅极G通过焊盘连接到金属导电基板1上的电路层3上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广州爱申特科技股份有限公司 一种大电流MOS管模块

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