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【发明公布】用于形成成核抑制涂层的材料和结合所述成核抑制涂层的装置_OTI照明公司_202080043582.5 

申请/专利权人:OTI照明公司

申请日:2020-04-18

公开(公告)日:2022-01-18

公开(公告)号:CN113950630A

主分类号:G02B1/14(20060101)

分类号:G02B1/14(20060101);G09F9/33(20060101);H01L51/52(20060101)

优先权:["20190418 US 62/836,047"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2022.05.06#实质审查的生效;2022.01.18#公开

摘要:一种光电子装置,其包含:成核抑制涂层NIC,所述NIC安置在所述装置的在其侧面的第一部中的表面上;以及导电涂层,所述导电涂层安置在所述装置的在其所述侧面的第二部中的表面上;其中在所述第一部中,所述导电涂层针对所述NIC的初始粘附概率显著小于针对所述表面的初始概率,使得所述第一部基本上缺乏所述导电涂层。

主权项:1.一种光电子装置,其包括:成核抑制涂层NIC,所述NIC安置在所述装置的在其横向方面的第一部中的表面上;以及导电涂层,所述导电涂层安置在所述装置的在其所述横向方面的第二部中的表面上;其中用于在所述第一部中的所述NIC的表面上形成所述导电涂层的初始粘附概率显著小于用于在所述第二部中的所述表面上形成所述导电涂层的初始粘附概率,使得所述第一部基本上缺乏所述导电涂层;并且其中所述NIC包括式I和或式II化合物: 其中: 和各自独立地为H、D氘代、F、Cl、包含C1-C6烷基在内的烷基、环烷基、甲硅烷基、氟烷基、芳烷基、芳基、卤代芳基、杂芳基、烷氧基、卤代烷氧基、氟烷氧基、氟芳基或多氟芳基;L1为包括CR2、NR、O、S、环烯烃、亚环戊基、具有5-60个碳原子的经取代的或未经取代的亚芳基或具有4-60个碳原子的经取代的或未经取代的亚杂芳基的连接基团,并且,每个R独立地为H、D氘代、F、Cl、包含C1-C6烷基在内的烷基、环烷基、甲硅烷基、氟烷基、芳烷基、芳基、卤代芳基、杂芳基、烷氧基、卤代烷氧基、氟烷氧基、氟芳基或多氟芳基。

全文数据:

权利要求:

百度查询: OTI照明公司 用于形成成核抑制涂层的材料和结合所述成核抑制涂层的装置

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