申请/专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司

申请日：2020-07-21

公开（公告）日：2022-01-21

公开（公告）号：CN113964199A

主分类号：H01L29/78(20060101)

分类号：H01L29/78(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/423(20060101);H01L21/336(20060101);H01L21/28(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.02.15#实质审查的生效;2022.01.21#公开

摘要：本申请公开了一种金属氧化物半导体场效应管、制造方法及电子设备。该金属氧化物半导体场效应管包括：有源区；隔离结构，分别位于所述有源区的两侧；栅极氧化物层，位于所述有源区上；所述栅极氧化物层在所述有源区上相对于所述隔离结构往沟道方向缩进；第一栅极层，位于所述栅极氧化物层上；第二栅极层，位于所述第一栅极层上；其中，每一所述隔离结构与所述栅极氧化物层之间具有一定的间隔距离。本公开实施例提供的金属氧化物半导体场效应管，有源区的顶部两侧具有栅极非重叠区，能够有效消除浅沟槽结构所产生的寄生晶体管现象。

主权项：1.一种金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，包括：有源区；隔离结构，分别位于所述有源区的两侧；栅极氧化物层，位于所述有源区上；所述栅极氧化物层在所述有源区上相对于所述隔离结构往沟道方向缩进；第一栅极层，位于所述栅极氧化物层上；第二栅极层，位于所述第一栅极层上；其中，每一所述隔离结构与所述栅极氧化物层之间具有一定的间隔距离。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 金属氧化物半导体场效应管、制造方法及电子设备

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