申请/专利权人:中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请日:2020-07-21
公开(公告)日:2022-01-21
公开(公告)号:CN113964029A
主分类号:H01L21/306(20060101)
分类号:H01L21/306(20060101);H01L27/108(20060101);H01L21/8242(20060101)
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2022.02.15#实质审查的生效;2022.01.21#公开
摘要:本公开提供一种半导体结构的平坦化方法及电子设备。该方法包括:提供待平坦化的半导体结构,并在所述半导体结构上选定目标区域;在所述半导体结构上形成掩模图案,以使除目标区域外其它区域被掩模覆盖;对目标区域的半导体结构以预设的剂量和能量进行离子注入,以强化材料物理性质;移除掩模图案,对半导体结构进行平坦化。本方案可以改善半导体结构中特征图案的线边缘粗糙度LER和或线宽粗糙度LWR;可以保护半导体结构中特征图案平坦化后不变形;可以减少平坦化对对准标记的破坏,改善对准效果;可以改善对半导体结构进行平坦化后产生的凹陷型缺陷。对半导体结构的平坦化的改善,使得可以期待半导体器件良率品质的提升。
主权项:1.一种半导体结构的平坦化方法,其特征在于,包括:提供待平坦化的半导体结构,并在所述半导体结构上选定目标区域;在所述半导体结构上形成掩模图案,以使除目标区域外的其它区域被所述掩模图案覆盖;对目标区域的半导体结构以预设的剂量和能量进行离子注入;移除所述掩模图案,对所述半导体结构进行平坦化。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 半导体结构的平坦化方法及电子设备
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