申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2021-07-19

公开（公告）日：2022-01-21

公开（公告）号：CN113964131A

主分类号：H01L27/1157(20170101)

分类号：H01L27/1157(20170101);H01L27/11578(20170101)

优先权：["20200720 KR 10-2020-0089858"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.07.07#实质审查的生效;2022.01.21#公开

摘要：提供一种非易失性存储器件，其包括使用电阻变化材料的存储单元串。非易失性存储器件的每个存储单元串包括：在第一方向上延伸的半导体层；在第一方向上交替地布置的多个栅极和多个绝缘体；在所述多个栅极与半导体层之间以及在所述多个绝缘体和半导体层之间在第一方向上延伸的栅极绝缘层；以及在半导体层的表面上在第一方向上延伸的电阻变化层。电阻变化层包括包含半导体层的半导体材料和过渡金属氧化物的混合物的金属半导体氧化物。

主权项：1.一种非易失性存储器件，包括：多个存储单元串，所述多个存储单元串中的每个包括半导体层、多个栅极和多个绝缘体、栅极绝缘层和电阻变化层，所述半导体层包括第一半导体材料并且在第一方向上延伸，所述半导体层包括第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，所述多个栅极和所述多个绝缘体每个在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，所述多个栅极和所述多个绝缘体在所述第一方向上交替地布置；所述栅极绝缘层在所述多个栅极与所述半导体层的所述第一表面之间以及在所述多个绝缘体与所述半导体层的所述第一表面之间在所述第一方向上延伸，所述电阻变化层在所述半导体层的所述第二表面上在所述第一方向上延伸，所述电阻变化层包括：包含第二半导体材料和过渡金属氧化物的金属半导体氧化物；以及所述金属半导体氧化物在所述第二半导体材料的氧化物的带隙中具有电荷陷阱位点。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 包括存储单元串的非易失性存储器件

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