申请/专利权人：至芯半导体(杭州)有限公司

申请日：2021-12-22

公开（公告）日：2022-01-21

公开（公告）号：CN113964224A

主分类号：H01L31/0352(20060101)

分类号：H01L31/0352(20060101);H01L31/105(20060101);H01L31/18(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.04.01#授权;2022.02.15#实质审查的生效;2022.01.21#公开

摘要：本发明涉及紫外探测器技术领域，尤其涉及一种半导体紫外探测器芯片的外延结构及其制备方法、半导体紫外探测器芯片。本发明通过交替生长的超晶格层的设置实现了对半导体缓冲层的位错线的有效阻挡，极大的降低了整个缓冲层的位错密度，解决了由于位错密度偏大导致器件暗电流大的问题；在P型传输层和P型接触层之间引入应变超晶格层，此层的引入能够使结构产生应变，能带发生弯曲，电子空穴隧穿迁移效果明显提升，提高了量子效率，提高了紫外响应度；应变超晶格层的引入能够有效阻止底层材料位错线的延伸，如此能够极大的降低器件的暗电流，从而提升紫外日盲探测器的性能。

主权项：1.一种半导体紫外探测器芯片的外延结构，其特征在于，包括由下到上依次层叠设置的衬底、半导体缓冲层、交替生长的超晶格层、第一N型半导体层、第二N型半导体层、紫外光吸收层、应变超晶格层和第二P型接触层；所述应变超晶格层包括由下到上依次交替生长的P型传输层和第一P型接触层；所述P型传输层的材料为Alx7Iny7Ga1-x7-y7N；所述第一P型接触层的材料为Alx9Iny9Ga1-x9-y9N；x7-x9≥0.2。

全文数据：

权利要求：

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