申请/专利权人：至善时代智能科技(北京)有限公司;至芯半导体(杭州)有限公司

申请日：2021-12-23

公开（公告）日：2022-01-21

公开（公告）号：CN113964218A

主分类号：H01L31/0304(20060101)

分类号：H01L31/0304(20060101);H01L31/0352(20060101);H01L31/105(20060101);H01L31/18(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.03.15#授权;2022.02.15#实质审查的生效;2022.01.21#公开

摘要：本发明涉及紫外探测器技术领域，尤其涉及一种半导体紫外探测器芯片的外延结构及其制备方法、半导体紫外探测器芯片。本发明通过交替生长的超晶格层的设置实现了对半导体缓冲层的位错线的有效阻挡，极大的降低了整个缓冲层的位错密度，解决了由于位错密度偏大导致器件暗电流大的问题；和或在所述紫外吸收层中掺杂少量的Mg原子，将会形成载流子浓度极低的本征层，解决了吸收层漏电通道大的问题，提高了紫外响应度水平。

主权项：1.一种半导体紫外探测器芯片的外延结构，其特征在于，包括由下到上依次层叠设置的衬底、半导体缓冲层、第一半导体层、第二N型半导体层、紫外吸收层和P型接触层；所述半导体缓冲层和第一半导体层之间设置有交替生长的超晶格层，和或所述紫外吸收层中掺杂Mg；所述交替生长的超晶格层包括由下到上交替生长的第一超晶格层和第二超晶格层；所述第一超晶格层和第二超晶格层的材料不同；所述第一超晶格层的材料为Alx2Iny2Ga1-x2-y2N，其中，0.5≤x2≤1,0≤y2≤0.1；所述第二超晶格层的材料为Alx3Iny3Ga1-x3-y3N，其中，0.5≤x3≤1,0≤y3≤0.1；且x2≠x3；所述半导体缓冲层、交替生长的超晶格层、第一半导体层、第二N型半导体层、紫外吸收层和P型接触层的材料均为AlInGaN；所述半导体缓冲层、交替生长的超晶格层、第一半导体层、第二N型半导体层和紫外吸收层的材料中Al的含量依次降低。

全文数据：

权利要求：

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