申请/专利权人：TCL科技集团股份有限公司

申请日：2018-09-30

公开（公告）日：2022-01-21

公开（公告）号：CN110964528B

主分类号：C09K11/88(20060101)

分类号：C09K11/88(20060101);C09K11/02(20060101);B82Y20/00(20110101);B82Y40/00(20110101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.01.21#授权;2020.05.01#实质审查的生效;2020.04.07#公开

摘要：本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种量子点及其制备方法。该量子点，包括III‑V族量子点核和结合在所述III‑V族量子点核表面的表面配体，所述表面配体的化学结构通式如式I所示：其中R1和R2分别独立选自卤素原子、氢原子、羟基、巯基、醚基、硫醚基、醛基、羰基、羧基、硝基、氨基、氰基、异氰基、环氧基、烷氧基、烷基碳酰氧基、烷基氧碳酰基、烷基碳酰基、杂芳基和烃基中的至少一种。该表面配体结合在III‑V族量子点核表面非常有助于壳层的均一生长，从而使量子点尺寸分布变得更加均匀，最终有利于提高量子点的发光效率。

主权项：1.一种量子点，其特征在于，包括III-V族量子点核和结合在所述III-V族量子点核表面的表面配体，所述表面配体为六氟乙酰丙酮；所述表面配体通过配体交换反应结合在所述III-V族量子点核表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： TCL科技集团股份有限公司 量子点及其制备方法

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