申请/专利权人：武汉高芯科技有限公司

申请日：2021-11-18

公开（公告）日：2022-01-21

公开（公告）号：CN113793878B

主分类号：H01L31/024(20140101)

分类号：H01L31/024(20140101);H01L31/09(20060101);G01J5/02(20220101);G01J1/02(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.01.21#授权;2021.12.31#实质审查的生效;2021.12.14#公开

摘要：本发明提供了一种双级制冷红外探测器，包括双级制冷组件和封装杜瓦，所述双级制冷组件包括外壳以及真空封装于外壳内的MEMS节流制冷器和半导体制冷器，MEMS节流制冷器贴装于半导体制冷器的冷端，所述封装杜瓦包括窗框以及真空封装于窗框内的冷屏和芯片，窗框固设于外壳上，芯片贴装于T型导热块上，T型导热块和冷屏的底部均固设于MEMS节流制冷器上。该发明采用MEMS节流制冷器对光学结构器件进行制冷，相比传统的机械式节流探测器，大大减小了本身热质量，同时还采用半导体制冷器对MEMS节流制冷器进行一级预冷，有效解决了MEMS节流制冷器制冷量不足以及冷量分布不均匀带来的问题；并且通过半导体制冷器的设置还解决了制冷结构及光学结构器件的支撑和漏热问题。

主权项：1.一种双级制冷红外探测器，其特征在于：包括双级制冷组件和封装杜瓦，所述双级制冷组件包括外壳以及真空封装于外壳内的MEMS节流制冷器和半导体制冷器，所述MEMS节流制冷器贴装于半导体制冷器的冷端，所述封装杜瓦包括窗框以及真空封装于窗框内的冷屏和芯片，所述窗框固设于外壳上，所述芯片贴装于T型导热块上，所述T型导热块和冷屏的底部均固设于MEMS节流制冷器上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉高芯科技有限公司 一种双级制冷红外探测器

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