申请/专利权人：泉州市三安集成电路有限公司

申请日：2021-10-28

公开（公告）日：2022-05-03

公开（公告）号：CN216437163U

主分类号：H03H3/02

分类号：H03H3/02;H03H9/64

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.05.03#授权

摘要：本实用新型公开了一种用于制作SAW滤波器的IDT电极的中间结构，包括由下至上按序设置的压电衬底、第一光阻层、硬化层和第二光阻层；第一光阻层具有用于形成IDT图形的第一窗口，第一窗口的侧壁由下至上向外倾斜；硬化层设于第一光阻层顶部表面；第二光阻层具有对应位于第一窗口上方的第二窗口，第二窗口的至少部分区域宽度小于第一窗口的至少部分区域宽度。本实用新型避免了单层较厚的光阻层侧壁倾斜程度大导致沉积的IDT金属图形的侧壁偏离预设形状的问题，最终得到更为理想的IDT金属结构，使得到的SAW滤波器的性能更为稳定。

主权项：1.一种用于制作SAW滤波器的IDT电极的中间结构，其特征在于：包括由下至上按序设置的压电衬底、第一光阻层、硬化层和第二光阻层；其中所述第一光阻层具有用于形成IDT图形的第一窗口，所述第一窗口的侧壁由下至上向外倾斜；所述硬化层设于所述第一光阻层顶部表面；所述第二光阻层具有对应位于第一窗口上方的第二窗口，第二窗口的至少部分区域宽度小于第一窗口的至少部分区域宽度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 泉州市三安集成电路有限公司 一种用于制作SAW滤波器的IDT电极的中间结构

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