申请/专利权人：中国科学院声学研究所

申请日：2019-09-06

公开（公告）日：2022-06-14

公开（公告）号：CN112462091B

主分类号：G01P15/08

分类号：G01P15/08;G01P15/09;G01P15/097;G01P1/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.06.14#授权;2021.03.26#实质审查的生效;2021.03.09#公开

摘要：本发明涉及一种MEMS‑IDT加速度传感器，所述加速度传感器包括：硅基悬臂梁及制备于悬臂梁应力集中之处的声表面波敏感元件以及制备于硅基悬臂梁自由端的质量振子。所述的硅基悬臂梁为采用深度刻蚀工艺制备的单自由度梁。所述的声表面波敏感元件包括低阻抗温补层、压电基片和钝化层。其中，所述低阻抗温补层沉积在所述硅基悬臂梁上；所述压电基片沉积在所述低阻抗温补层上；所述压电基片的上表面设置有声表面波器件图形；所述钝化层沉积于声表面波器件图形表面。该加速度传感器通过MEMS硅基悬臂梁与多层复合薄膜结构的温补型SAW相结合，解决了传统MEMS加速度传感器的大温漂问题，并具有微纳体积、高灵敏度和低功耗等特点。

主权项：1.一种MEMS-IDT加速度传感器，其特征在于，所述加速度传感器包括：硅基悬臂梁及制备于悬臂梁应力集中之处的声表面波敏感元件以及制备于硅基悬臂梁自由端的质量振子；其中所述的硅基悬臂梁为单自由度梁，所述的硅基悬臂梁为采用深度刻蚀工艺制备的单自由度梁，所述的声表面波敏感元件包括低阻抗温补层、压电基片和钝化层，其中，所述低阻抗温补层沉积在所述硅基悬臂梁上；所述压电基片沉积在所述低阻抗温补层上；所述压电基片的上表面设置有声表面波器件图形；所述钝化层沉积于声表面波器件图形表面；所述加速度传感器采用MEMS硅基悬臂梁与多层复合薄膜结构的温补型SAW相结合的方式制成；所述声表面波器件图形沉积于所述压电基片的上表面，所述声表面波器件图形包括叉指换能器，或叉指换能器和短路栅反射器；所述声表面波器件图形左侧端设有第一吸声胶，所述声表面波器件图形右侧端设有第二吸声胶；所述叉指换能器采用双向结构，且至少包括两对第一叉指电极对；每一对所述第一叉指电极对均包括两个第一电极，所述第一电极的宽度为14λx，间距为14λx，电极膜厚为0.001λx-0.1λx，声孔径为80λx-250λx，所述短路栅反射器至少包括两个宽度为14λx，间距为14λx的第二电极，λx为沿声波传播方向的声波波长。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院声学研究所 一种MEMS-IDT加速度传感器

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