申请/专利权人：昆山一鼎工业科技有限公司

申请日：2022-03-29

公开（公告）日：2022-07-08

公开（公告）号：CN114724959A

主分类号：H01L21/48

分类号：H01L21/48;B08B3/02;B08B3/08;B08B3/14;B08B13/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.07.26#实质审查的生效;2022.07.08#公开

摘要：本发明属于半导体集成电路引线框架蚀刻制造技术领域，具体涉及发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置，这种发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置包括：依次连通的浸水洗上槽、喷水洗上槽和脱膜机构；浸水洗上槽连通有上水过滤系统，上水过滤系统采用水泵输送，浸水洗上槽连通有母槽自循环系统；喷水洗上槽包括槽体、设于槽体底部的内子槽和设于槽体上部的上喷管；脱模机构包括与喷水洗上槽对接的对接框架、设于对接框架内的转动滚筒和用于驱动转动滚筒转动的转动电机。这种发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置具有通过脱膜装置的喷射浸润、喷射浸渍和喷射冲击，使蚀刻产品附着异物的现象大幅度下降的效果。

主权项：1.一种发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置，其特征在于，包括：依次连通的浸水洗上槽1、喷水洗上槽2和脱膜机构3；所述浸水洗上槽1连通有上水过滤系统4，所述上水过滤系统4采用水泵输送，所述浸水洗上槽1连通有母槽自循环系统5；所述喷水洗上槽2包括槽体21、设于槽体21底部的内子槽22和设于槽体21上部的上喷管23；所述脱模机构包括与所述喷水洗上槽2对接的对接框架31、设于对接框架31内的转动滚筒32和用于驱动转动滚筒32转动的转动电机33，所述对接框架31远离所述喷水洗上槽2一侧设置有出料口34，所述对接框架31内设置有脱膜喷水管35。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 昆山一鼎工业科技有限公司 发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置

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