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【发明公布】基于P型金刚石斜终端的氧化稼PIN二极管及其制备方法_西安电子科技大学_202210190209.3 

申请/专利权人:西安电子科技大学

申请日:2022-02-28

公开(公告)日:2022-08-05

公开(公告)号:CN114864655A

主分类号:H01L29/06

分类号:H01L29/06;H01L29/16;H01L29/861;H01L21/34;H01L23/373

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2022.08.23#实质审查的生效;2022.08.05#公开

摘要:本发明涉及一种基于P型金刚石斜终端的氧化稼PIN二极管及其制备方法,该氧化稼PIN二极管包括:n+‑Ga2O3衬底层;n‑‑Ga2O3漂移层,设置在n+‑Ga2O3衬底层的上表面,n‑‑Ga2O3漂移层的两侧面为倾斜台面,倾斜台面上设置有若干矩形凹槽;P型金刚石层,覆盖在n‑‑Ga2O3漂移层的上表面、部分倾斜台面以及填充在矩形凹槽的内部;阴极,设置在n+‑Ga2O3层的下表面;阳极,设置在P型金刚石层的上表面。本发明的基于P型金刚石斜终端的氧化稼PIN二极管,采用斜终端结构,并在倾斜台面上引入矩形凹槽,增大了P型金刚石和n‑‑Ga2O3漂移层的接触面积,pn结对电场的调制作用更加明显,器件边缘电场分布更加均匀,降低了泄漏电流;采用P型金刚石作为P型区域,规避了P型Ga2O3制备困难的问题。

主权项:1.一种基于P型金刚石斜终端的氧化稼PIN二极管,其特征在于,包括:n+-Ga2O3衬底层;n--Ga2O3漂移层,设置在所述n+-Ga2O3衬底层的上表面,所述n--Ga2O3漂移层的两侧面为倾斜台面,所述倾斜台面上设置有若干矩形凹槽;P型金刚石层,覆盖在所述n--Ga2O3漂移层的上表面、部分倾斜台面以及填充在所述矩形凹槽的内部;阴极,设置在所述n+-Ga2O3层的下表面;阳极,设置在所述P型金刚石层的上表面。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 西安电子科技大学 基于P型金刚石斜终端的氧化稼PIN二极管及其制备方法

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