【发明公布】一种高介电高储能微晶玻璃介质材料及其制备方法_桂林电子科技大学_202110685704.7 

申请/专利权人:桂林电子科技大学

申请日:2021-06-21

公开(公告)日:2022-08-12

公开(公告)号:CN114890676A

主分类号:C03C10/02

分类号:C03C10/02;C03C4/16;C03C17/10;C03B5/16;C03B25/00;C03B32/02

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2022.08.12#公开

摘要:本发明涉及电介质储能材料,特别涉及一种高介电高储能微晶玻璃介质材料及其制备方法,制备的微晶玻璃介质材料的化学组分为:xAXO3‑yaSiO2‑bB2O3‑cAl2O3‑zMmOn;介电常数可在200‑1500范围内调节,直流耐击穿强度范围为0.9‑2.0MVcm,最高理论储能密度达71.6Jcm3,可用于各种高储能密度及超高压电容器的制备;同时玻璃组成中无铅,达到了环保的目的。

主权项:1.一种高介电高储能微晶玻璃介质材料,其特征在于:包括主晶相、玻璃相、过渡金属氧化物相,所述主晶相从玻璃相中析出得到,在玻璃相中析出多晶型纳米畴的驰豫铁电晶体;所述主晶相包括钙钛矿结构的铁电性相材料或多铁性相材料。

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