申请/专利权人：伊文萨思粘合技术公司

申请日：2019-06-13

公开（公告）日：2022-08-12

公开（公告）号：CN114899166A

主分类号：H01L23/48

分类号：H01L23/48;H01L23/482;H01L23/488;H01L23/00;H01L23/522;H01L25/065;H01L21/60;H01L21/98;H01L21/768

优先权：["20180613 US 62/684,505"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.08.30#实质审查的生效;2022.08.12#公开

摘要：本申请涉及TSV上的偏移焊盘。可以采用包括过程步骤的代表性技术和设备来减轻由于键合界面处的金属膨胀而导致的经键合微电子衬底的分层的可能性。例如，金属焊盘可以设置在微电子衬底中的至少一个微电子衬底的键合表面处，其中接触焊盘相对于衬底中的TSV偏移地定位并且电耦合到TSV。

主权项：1.一种微电子组件，包括：包括第一键合表面的第一衬底；嵌入所述第一衬底中并且至少部分地延伸穿过所述第一衬底的第一穿硅过孔，所述第一穿硅过孔正交于所述第一键合表面延伸，而不在所述第一键合表面处暴露；设置在所述第一键合表面处并且电耦合到所述第一穿硅过孔的第一金属接触焊盘，所述第一金属接触焊盘相对于所述第一穿硅过孔偏移并且不与所述第一穿硅过孔交叠；以及将所述第一穿硅过孔电耦合到所述第一金属接触焊盘的一个或多个嵌入式导电迹线；使用直接电介质到电介质、非粘合剂键合技术而直接键合到所述第一衬底的第二衬底；以及所述第一衬底的表面中的凹部，设置在所述第一衬底和所述第二衬底之间的键合界面处。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 伊文萨思粘合技术公司 TSV上的偏移焊盘

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