申请/专利权人：武汉大学

申请日：2022-05-23

公开（公告）日：2022-08-12

公开（公告）号：CN114895543A

主分类号：G03H1/10

分类号：G03H1/10;G03H1/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.08.18#授权;2022.08.30#实质审查的生效;2022.08.12#公开

摘要：本发明公开了一种基于全息零级和超表面几何相位的灰度纳米印刷设计方法，灰度纳米印刷术的信息通道为全息零级，灰度图像信息被编码进超表面上纳米砖阵列的转角排布中；超表面由两层基底、一层反射式纳米砖阵列构成；硅基底上方为二氧化硅基底，二氧化硅基底上排布有周期性排列的硅纳米砖阵列单元，各纳米砖单元大小相同，转角各异；本发明所提出的基于全息零级和超表面几何相位的灰度纳米印刷设计方法，与传统的灰度纳米印刷术相比，几何相位设计模式更加灵活，填补了灰度纳米印刷术在相位领域的空白，其优势在于设计算法简单，集成度极高，无需任何光学器件的协助，能够用肉眼直观观察，可广泛的应用于图像显示等领域，具有广阔的应用前景。

主权项：1.一种基于全息零级和超表面几何相位的灰度纳米印刷设计方法，其特征在于：全息零级作为灰度纳米印刷术信息通道，灰度图像信息被编码到超表面上纳米砖阵列的转角排布中；包括如下步骤：S1：选择目标图像和参考光，并对目标图像进行相应的补偿，得到物光的振幅分布；S2：组合补偿后的振幅分布和相位分布为物光，将物光与参考光进行干涉叠加，计算出干涉强度分布对应的相位分布情况；S3：根据半波片的性能需求来优化反射式纳米砖阵列中电介质纳米砖的几何参数，其中所述工作波长为可见光波段；S4：根据计算出的相位分布，确定电介质超表面纳米砖阵列中纳米砖的转角排布。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉大学 基于全息零级和超表面几何相位的灰度纳米印刷设计方法

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