【发明公布】使用水蒸汽制造用于显示器制造的层的方法和所述方法的设备_应用材料公司_202210571610.1 

申请/专利权人:应用材料公司

申请日:2015-05-08

公开(公告)日:2022-08-12

公开(公告)号:CN114892129A

主分类号:C23C14/08

分类号:C23C14/08;C23C14/34;C23C14/54

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2022.08.12#公开

摘要:本发明描述了制造用于显示器制造的多个薄膜晶体管的层的方法和所述方法的设备。所述方法包括在处理气体氛围中从含氧化铟的靶溅射透明导电氧化物层。处理气体氛围222包含水蒸汽、H2,和惰性气体,其中水蒸汽的含量是从1%至10%,其中H2的含量是从2.2%至20.0%,且其中惰性气体的含量是从55.0%至96.3%。设备200包括:真空腔室210;一或多个含氧化铟的靶220a、220b,在真空腔室内部用于溅射透明导电氧化物层;气体分配系统230,用于在真空腔室之内提供处理气体;和控制器240,连接至气体分配系统并被配置为执行用于进行本方法的程序代码。

主权项:1.一种制造用于显示器制造的多个薄膜晶体管的层的方法100,包含:在处理气体氛围222中从含氧化铟的靶溅射101透明导电氧化物层,其中所述处理气体氛围222包含水蒸汽、H2、O2和惰性气体,其中水蒸汽的含量是从1%至10%,其中H2的含量是从2.2%至20.0%,其中O2的含量是从0.5%至15.0%,其中在所述处理气体氛围222中的O2的分压是从0.001Pa至0.12Pa,其中惰性气体的含量是从55.0%至96.8%,其中所述处理气体氛围222的总压力是从0.2Pa至0.8Pa,其中所述处理气体氛围的成分总计达100%,其中所述方法进一步包括利用所述处理气体氛围222中的O2的含量控制所述氧化物层的薄层电阻104,并且其中所述电阻率是从100μOhmcm至400μOhmcm。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 应用材料公司 使用水蒸汽制造用于显示器制造的层的方法和所述方法的设备

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。