【发明公布】三维存储器及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202210572571.7 

申请/专利权人:长江存储科技有限责任公司

申请日:2022-05-18

公开(公告)日:2022-08-12

公开(公告)号:CN114899175A

主分类号:H01L23/538

分类号:H01L23/538;H01L27/11568;H01L27/1157;H01L27/11578;H01L29/10

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2022.08.12#公开

摘要:本申请提供一种三维存储器及其制备方法、存储系统,三维存储器包括:叠层结构,包括由沿第一方向堆叠的栅极层和绝缘层形成的至少一个堆叠层;多个沟道结构,每个沟道结构沿第一方向贯穿叠层结构;多个局部导电接触结构,位于叠层结构上与沟道结构一一对应且电连接,至少一个沟道结构通过沟道连接部电连接至局部导电接触结构,在垂直于第一方向的方向上沟道连接部的横向尺寸大于沟道结构与沟道连接部接触部分的横向尺寸。通过设置与沟道结构对应、且相较于沟道结构具有较大特征尺寸的沟道连接部,并通过其实现沟道结构和局部导电接触结构的电连接,可实现沟道结构与位线或者源极线之间良好的电导通,提高三维存储器的可靠性。

主权项:1.一种三维存储器,其特征在于,包括:叠层结构,包括由沿第一方向堆叠的栅极层和绝缘层形成的至少一个堆叠层;多个沟道结构,每个所述沟道结构沿所述第一方向贯穿所述叠层结构;多个局部导电接触结构,位于所述叠层结构上,与所述沟道结构一一对应且电连接,其中,至少一个所述沟道结构通过沟道连接部电连接至所述局部导电接触结构,在垂直于所述第一方向的方向上,所述沟道连接部的横向尺寸大于所述沟道结构的、与所述沟道连接部接触部分的横向尺寸。

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权利要求:

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