【发明授权】离子注入方法及离子注入系统_长江存储科技有限责任公司_202010000507.2 

申请/专利权人:长江存储科技有限责任公司

申请日:2020-01-02

公开(公告)日:2022-08-12

公开(公告)号:CN111162003B

主分类号:H01L21/265

分类号:H01L21/265;H01L21/67

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2022.08.12#授权;2020.06.09#实质审查的生效;2020.05.15#公开

摘要:本发明提供一种离子注入方法及离子注入系统,离子注入方法包括如下步骤:提供晶圆,晶圆内形成有若干个沟道孔,且位于晶圆中心区域的沟通孔与晶圆的表面相垂直,位于晶圆边缘区域的沟道孔相较于垂直于晶圆表面的方向倾斜小于90°的角度;使晶圆沿第一方向进行弧形往返运动,并沿第二方向向晶圆内进行离子注入,第一方向与第二方向相垂直。本发明的离子注入方法在沿第二方向进行离子注入过程中使晶圆沿垂直第二方向的第一方向做弧形往返运动,可以确保离子能够注入至各沟道孔的底部,使得各沟道孔底部的离子注入量相同,消除了晶圆不同区域内沟道孔相较于垂直于晶圆表面的方向倾斜程度不同而对离子注入效果造成的影响,可以确保器件的电性及良率,使得整个晶圆具有更佳均匀的电性。

主权项:1.一种离子注入方法,其特征在于,包括如下步骤:提供晶圆,所述晶圆内形成有若干个沟道孔,且位于晶圆中心区域的所述沟道孔与所述晶圆的表面相垂直,位于晶圆边缘区域的所述沟道孔相较于垂直于所述晶圆表面的方向倾斜小于90°的角度;及使所述晶圆沿第一方向进行弧形往返运动并沿第二方向向所述晶圆内进行离子注入,所述第一方向与所述第二方向相垂直;其中,所述晶圆沿所述第一方向进行弧形往返运动的弧形角度与位于所述晶圆边缘区域的所述沟道孔相较于垂直于所述晶圆表面的方向倾斜的角度相等。

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权利要求:

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