申请/专利权人：香港理工大学深圳研究院;江南大学

申请日：2021-05-27

公开（公告）日：2022-08-12

公开（公告）号：CN113419364B

主分类号：G02F1/11

分类号：G02F1/11;G02F1/125

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.08.12#授权;2021.10.12#实质审查的生效;2021.09.21#公开

摘要：本发明公开了一种基于铌酸锂薄膜的凹槽辅助式声光调制器，其中，所述声光调制器包括：铌酸锂薄膜层；设置于所述铌酸锂薄膜层上的铌酸锂薄膜波导和叉指换能器，其中，所述铌酸锂薄膜波导的顶部刻有凹槽。由于传统的基于铌酸锂薄膜设计的声光调制器中采用的光波导结构均为规则的条形波导，规则的条形波导基于表面声波产生的声光互作用效率不高，而本发明在铌酸锂薄膜波导的顶部刻有凹槽，可以增强铌酸锂薄膜波导基于表面声波产生的形变位移场与波导光学电磁场之间的相互作用，从而解决了现有声光调制器中声光互作用效率低的问题。

主权项：1.一种声光调制器，其特征在于，所述声光调制器包括：铌酸锂薄膜层；设置于所述铌酸锂薄膜层上的铌酸锂薄膜波导和叉指换能器，其中，所述铌酸锂薄膜波导的顶部刻有凹槽；所述声光调制器还包括设置于所述铌酸锂薄膜层下方的掩埋氧化层；所述铌酸锂薄膜层包括调制区域和非调制区域，其中，所述调制区域为所述铌酸锂薄膜波导下方和所述叉指换能器下方的预设范围内的区域，所述调制区域的一侧设置有第一反射槽，所述调制区域的另一侧设置有第二反射槽，所述第一反射槽和所述第二反射槽均贯穿所述铌酸锂薄膜层和所述掩埋氧化层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 香港理工大学深圳研究院;江南大学 一种基于铌酸锂薄膜的凹槽辅助式声光调制器

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