申请/专利权人：深圳市依思普林科技有限公司

申请日：2021-12-29

公开（公告）日：2022-08-12

公开（公告）号：CN217182174U

主分类号：H01L23/48

分类号：H01L23/48;H01L25/07;H01L23/04;H01L23/367

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.08.12#授权

摘要：本实用新型实施例提供一种功率模块，包括外壳及安装于外壳内的模块组件，外壳的一侧面开设有开口，外壳背离开口的一侧外部设置有功率母排，模块组件包括基板以及若干组并联设置的半桥电路，每组半桥电路包括分设于基板上靠近相对两侧边处的正极端子与负极端子、设置于正极端子与负极端子之间的上桥芯片与下桥芯片及设置于基板一端的输出端子，正极端子、负极端子、上桥芯片、下桥芯片及输出端子之间电连接，容纳腔正对开口的腔底壁上设有若干个定位块，基板与腔底壁之间对应形成间隙，各组半桥电路的上桥芯片和下桥芯片均设置于间隙中，正极端子、负极端子及输出端子的一端均伸出至间隙外部。本实用新型能够有效降低功率模块内部的寄生电感。

主权项：1.一种功率模块，包括内部形成有容纳腔的外壳及安装于所述外壳的容纳腔内的模块组件，所述外壳的一侧面开设有连通所述容纳腔的开口，所述外壳背离所述开口的一侧外部设置有功率母排，所述模块组件包括基板以及安装于所述基板一侧表面的若干组并联设置的半桥电路，其特征在于，每组所述半桥电路包括分设于所述基板上靠近相对两侧边处的正极端子与负极端子、设置于所述正极端子与所述负极端子之间的上桥芯片与下桥芯片及设置于所述基板一端的输出端子，所述正极端子、负极端子、上桥芯片、下桥芯片及所述输出端子之间电连接，所述容纳腔正对所述开口的腔底壁上设有若干个朝向开口方向凸起预定高度的定位块，所述基板设置于所述开口内侧由所述定位块抵接限位而在所述基板与所述腔底壁之间对应形成间隙，各组所述半桥电路的所述上桥芯片和下桥芯片均设置于所述间隙中，所述正极端子、负极端子及输出端子的一端均伸出至所述间隙外部。

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权利要求：

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