申请/专利权人:西安电子科技大学
申请日:2022-05-25
公开(公告)日:2022-08-30
公开(公告)号:CN114975432A
主分类号:H01L27/08
分类号:H01L27/08;H01L29/868;H01L29/872;H01L21/8252
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2022.09.16#实质审查的生效;2022.08.30#公开
摘要:本发明公开了一种氮化镓异质结PIN与SBD对管集成器件,主要解决现有技术分立式PIN、SBD二极管用于多级限幅电路时功率容量受限的问题。本发明在碳化硅衬底1的上方并列设置第一级氮化镓异质结PIN对管和第二、三级SBD对管,对管之间设置隔离槽用于隔离器件,通过空气桥结构连接其中一侧单管的阳极和对称单管的阴极。本发明将氮化镓异质结PIN管与SBD管通过空气桥结构和共阴极的方式进行对管互连,实现三级对管的集成。本发明器件的频率响应快,耐压特性好,集成度高,用于限幅电路时可显著提升功率容量,降低响应时间,提高集成度,可应用于大功率限幅电路中。
主权项:1.一种氮化镓异质结PIN与SBD对管集成器件,包括碳化硅衬底1、氮化镓重掺杂n+层2、氮化镓本征n-层31、氮化镓本征n-层32、氮化镓本征n-层33、重掺杂p+层4、公共阴极5、PIN结阳极6、肖特基结阳极7和8、空气桥结构以及沿垂直于器件横截面方向的中间在n+层2上的一条深至碳化硅衬底1表面的隔离槽;其特征在于,在同一碳化硅衬底1上,并列设置第一级异质结PIN对管和第二、三级SBD对管,其中第一级PIN对管由两个结构完全相同的异质结PIN单管组成,第二、三级SBD对管分别由两个结构完全相同的SBD单管组成;每级对管的两个单管沿垂直于器件横截面方向的中间呈对称分布,结构完全相同;空气桥结构连接其中一侧单管的阳极和对称单管的阴极,实现对管结构;每级对管之间通过一侧单管共阴极结构实现器件级联。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 西安电子科技大学 氮化镓异质结PIN与SBD对管集成器件
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