申请/专利权人：深圳市康盛光电科技有限公司

申请日：2022-03-07

公开（公告）日：2022-09-13

公开（公告）号：CN217426385U

主分类号：H01B5/14

分类号：H01B5/14

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.09.13#授权

摘要：本实用新型涉及一种低电阻高透过率ITO导电膜，其由依次层叠的PET基材层、高折射率涂层和ITO膜层构成，高折射率涂层为二氧化钛涂层或氧化铌涂层，高折射率涂层的厚度为1μm至2μm，ITO膜层的厚度为100nm至150nm且厚度均匀。该低电阻高透过率ITO导电膜具有较低的面电阻和较高的透过率，尤其适用于大面积触控屏、电磁脉冲屏蔽膜等领域。

主权项：1.一种低电阻高透过率ITO导电膜，其特征在于由依次层叠的PET基材层、高折射率涂层和ITO膜层构成，所述高折射率涂层为二氧化钛涂层或氧化铌涂层，所述高折射率涂层的厚度为1μm至2μm，所述ITO膜层的厚度为100nm至150nm且厚度均匀。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市康盛光电科技有限公司 一种低电阻高透过率ITO导电膜

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