申请/专利权人：国际商业机器公司

申请日：2021-01-12

公开（公告）日：2022-09-16

公开（公告）号：CN115066749A

主分类号：H01L23/532

分类号：H01L23/532

优先权：["20200204 US 16/781,038"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.10.04#实质审查的生效;2022.09.16#公开

摘要：一种互连结构及其形成方法，包括在介电层内形成凹槽，并在凹槽内保形沉积阻挡层。在阻挡层上方形成注入钴的钌衬里，通过在第一衬里上方堆叠第二衬里来形成含钴的钌衬里，第一衬里位于阻挡层上方。第一衬里包括钌，而第二衬里包括钴。钴原子从第二衬里迁移到第一衬里，形成注入钴的钌衬里。在注入钴的钌衬里上方沉积导电材料以填充凹槽，随后沉积由钴制成的覆盖层。

主权项：1.一种形成互连结构的方法，包括：在介电层内形成凹槽；在所述凹槽内保形地沉积阻挡层；在所述阻挡层上方形成注入钴的钌衬里，含钴的钌衬里包括：在所述阻挡层上方的第一衬里，所述第一衬里包括钌；以及在所述第一衬里上方的第二衬里，所述第二衬里包含钴，其中钴原子从所述第二衬里到所述第一衬里的迁移形成所述注入钴的钌衬里；在所述注入钴的钌衬里上方沉积导电材料以填充所述凹槽；以及在所述导电材料的顶表面上方形成覆盖层，所述覆盖层包括钴。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 国际商业机器公司 具有注入钴的钌衬里和钴盖帽的互连结构

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