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【发明公布】一种基于β辐射伏特效应GaAs基同位素电池_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202210800653.2 

申请/专利权人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

申请日:2022-07-08

公开(公告)日:2022-09-16

公开(公告)号:CN115064297A

主分类号:G21H1/06

分类号:G21H1/06

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2022.10.04#实质审查的生效;2022.09.16#公开

摘要:本发明实施例中提供的一种基于β辐射伏特效应砷化镓GaAs基同位素电池,包括GaAs基换能单元、设置于所述GaAs基换能单元上的辐致发光材料层、设置于所述辐致发光材料层上的β辐射同位素源,通过采用含有电子空穴传输层的GaAs基换能单元结构,增强辐生电子‑空穴对的输运与收集,提出GaAs基辐致伏特光伏双重效应同位素电池结构,解决半导体材料的辐照损伤问题,实现辐生光生电子空穴对的高效利用,提高电池器件输出性能。

主权项:1.一种基于β辐射伏特效应砷化镓GaAs基同位素电池,其特征在于,包括GaAs基换能单元、设置于所述GaAs基换能单元上的辐致发光材料层、设置于所述辐致发光材料层上的β辐射同位素源;所述GaAs基换能单元包括由下至上依次设置的N面电极、GaAs衬底层、缓冲层、背散层、基层、发射层、窗口层、帽子层和P面电极,所述辐致发光材料层设置在所述P面电极。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种基于β辐射伏特效应GaAs基同位素电池

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