申请/专利权人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日:2022-07-08
公开(公告)日:2022-09-16
公开(公告)号:CN115064296A
主分类号:G21H1/06
分类号:G21H1/06
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2022.10.04#实质审查的生效;2022.09.16#公开
摘要:本发明提供的一种基于β辐射伏特效应的同位素电池,根据换能单元个数不同可以分为单层同位素电池、双层同位素电池、三层同位素电池,甚至一直扩展到N层同位素电池包含N个换能单元和N‑1个同位素源,N≥4,通过巧妙的设计实现多层同位素电池叠层封装结构。该多层同位素电池包括绝缘壳体、绝缘限位卡具和电池模组,电池模组置于绝缘壳体内,限位卡具置于绝缘壳体内部两侧。目的是针对目前β辐射伏特效应同位素电池能量转换效率偏低、输出电流小、输出功率低且多采用低能同位素源的现状,针对不同材料换能单元,提出一种通用的基于辐射伏特效应的多层同位素电池及其封装结构,能有效提升同位素电池输出性能。
主权项:1.一种基于β辐射伏特效应的同位素电池,其特征在于,包括绝缘壳体、绝缘限位卡具以及电池模组,所述电池模组位于所述绝缘壳体内,所述绝缘限位卡具夹持所述所述电池模组并固定在所述绝限壳体内,其中所述电池模组具有至少一层具有β辐射伏特效应的同位素电池。
全文数据:
权利要求:
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