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【发明公布】复合型功率组件_全宇昕科技股份有限公司_202110260111.6 

申请/专利权人:全宇昕科技股份有限公司

申请日:2021-03-10

公开(公告)日:2022-09-20

公开(公告)号:CN115084130A

主分类号:H01L27/07

分类号:H01L27/07

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2022.09.20#公开

摘要:本申请公开一种复合型功率组件,其包含基材结构、绝缘层、介电层、金氧半场效晶体管、及齐纳二极管。金氧半场效晶体管形成于基材结构的晶体管形成区域中。齐纳二极管形成于基材结构的电路组件形成区域中,且包含形成于基材结构中且被绝缘层覆盖的齐纳二极管掺杂结构。齐纳二极管掺杂结构包含第一P型掺杂区及形成于第一P型掺杂区内侧的第一N型掺杂区。齐纳二极管另包含齐纳二极管金属结构,其形成于介电层上,且依序地贯穿介电层及绝缘层,以电性连接第一P型掺杂区及第一N型掺杂区。借此,本申请的复合型功率组件能通过将不同的电子组件如:齐纳二极管的形成整合在金氧半场效晶体管的结构中,以简化了制程复杂度。

主权项:1.一种复合型功率组件,其特征在于,所述复合型功率组件包括:一基材结构,包含有一基底层及形成于所述基底层上的一磊晶层;其中,所述磊晶层凹设有至少一沟槽,所述基材结构沿着其长度方向定义有一晶体管形成区域及相邻于所述晶体管形成区域的一电路组件形成区域,并且所述沟槽是位于所述晶体管形成区域中;一绝缘层,延伸地形成于所述磊晶层上及所述沟槽的内壁上;其中,所述绝缘层的位于所述沟槽的所述内壁的部位定义为一沟槽绝缘层,其包围形成有一凹槽,并且所述绝缘层的位于所述磊晶层表面上的部位定义为一披覆绝缘层;一介电层,形成于所述披覆绝缘层上;一金氧半场效晶体管,位于所述晶体管形成区域中,且包含:一闸极填充结构,形成于所述沟槽绝缘层的所述凹槽中;一基体掺杂结构,形成于所述磊晶层中且位于所述沟槽的周围区域,所述基体掺杂结构被所述披覆绝缘层覆盖;一源极金属结构,形成于所述介电层上且依序贯穿所述介电层及所述披覆绝缘层,以接触所述基体掺杂结构;及一汲极金属结构,形成于所述基底层的一底面;以及一齐纳二极管,位于所述电路组件形成区域中,且包含:一齐纳二极管掺杂结构,形成于所述磊晶层中,且被所述披覆绝缘层所覆盖;其中,所述齐纳二极管掺杂结构包含有一第一P型掺杂区及一第一N型掺杂区;及一齐纳二极管金属结构,形成于所述介电层上,且依序贯穿所述介电层及所述披覆绝缘层,以接触所述齐纳二极管掺杂结构的所述第一P型掺杂区及所述第一N型掺杂区,以使得所述齐纳二极管在通电时接受一逆向偏压。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 全宇昕科技股份有限公司 复合型功率组件

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