申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2021-03-10

公开（公告）日：2022-09-20

公开（公告）号：CN115084257A

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L29/06;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.10.11#实质审查的生效;2022.09.20#公开

摘要：本发明能够提供一种半导体器件结构及其制造方法、高电子迁移率晶体管。该半导体器件结构包括但不限于半导体衬底、多层台面层、功能层、帽层、栅极、源极及漏极。多层台面层设置于半导体衬底上方，功能层设置于多层台面层上；功能层用于形成沟道和势垒。帽层设置于功能层上，帽层上开设有凹槽。栅极形成于该凹槽内，栅极与功能层接触。源极和漏极均设置于帽层上。与现有技术相比，本发明能够提供一种具有双层台面或多层台面结构的异质集成半导体器件，能够极大地提升异质集成半导体器件的性能和可靠性。基于多层台面结构提升了用于连接源漏极和栅极的金属结构可靠性，本发明还能够有助于更充分利用异质衬底的优良电学特性。

主权项：1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：半导体衬底；多层台面层，设置于所述半导体衬底上方；功能层，设置于所述多层台面层上；其中所述功能层用于形成沟道和势垒；帽层，设置于所述功能层上；所述帽层上开设有凹槽；栅极，形成于所述凹槽内；所述栅极与所述功能层接触；源极，设置于所述帽层上；漏极，设置于所述帽层上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种半导体器件结构及其制造方法、高电子迁移率晶体管

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