申请/专利权人：山东腾晖新能源技术有限公司;苏州腾晖光伏技术有限公司

申请日：2022-07-22

公开（公告）日：2022-09-20

公开（公告）号：CN115084285A

主分类号：H01L31/0216

分类号：H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2023.08.01#发明专利申请公布后的驳回;2022.10.11#实质审查的生效;2022.09.20#公开

摘要：本发明属于光伏电池技术领域，具体涉及一种低复合隧穿氧化钝化层结构及应用。所述低复合隧穿氧化钝化层结构，由氧化层和掺杂多晶硅层组成，氧化层厚度为1~1.2nm，掺杂多晶硅层厚度为50~80nm，所述氧化层为含氮二氧化硅。本发明利用含氮二氧化硅代替TOPCon结构中的SiO2作为隧穿氧化层，提高了隧穿氧化层对硼原子的阻挡能力，降低由于多晶硅层中硼或磷原子的扩散而引起的载流子的复合，充分发挥了隧穿氧化钝化结构的钝化作用，提高了TOPCon结构的钝化效果。

主权项：1.一种低复合隧穿氧化钝化层结构，其特征在于：由厚度为1~1.2nm的氧化层和厚度为50~80nm的掺杂多晶硅层组成，所述氧化层为含氮二氧化硅；所述低复合隧穿氧化钝化层结构用于p型TOPCon电池或n型TOPCon电池的背面，所述p型TOPCon电池或n型TOPCon电池的结构包括晶硅（1），和依次设置在晶硅（1）正面的半导体区（2）、重掺杂区（101）、正面钝化层（102）、正面电极（103），以及依次设置在晶硅（1）背面的隧穿氧化层（201）、多晶硅层（202）、背面钝化层（203）、背面电极（204）。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东腾晖新能源技术有限公司;苏州腾晖光伏技术有限公司 低复合隧穿氧化钝化层结构及应用

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