申请/专利权人：泰科天润半导体科技(北京)有限公司

申请日：2022-08-22

公开（公告）日：2022-09-20

公开（公告）号：CN115083919A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/10

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.12#授权;2022.10.11#实质审查的生效;2022.09.20#公开

摘要：本发明提供了一种增加耐压能力的碳化硅MOSFET的制造方法，在碳化硅衬底的隔离区上生长阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对隔离区进行离子注入，形成导电沟道区；重新生长阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对隔离区进行离子注入，以形成漏极源区和源极源区；在漏极源区和源极源区上分别淀积形成漏极金属层和源极金属层；重新生长阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，氧化形成绝缘层；重新生长阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，并进行刻蚀形成栅极金属淀积区；重新生长阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，在栅极金属淀积区淀积，形成栅极金属层，清除所有阻挡层，可以在较小的面积上实现SiCLDMOSFET的耐压能力提高。

主权项：1.一种增加耐压能力的碳化硅MOSFET的制造方法，其特征在于，具体包括如下步骤：步骤1、在碳化硅衬底的隔离区上生长阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对隔离区进行离子注入，形成导电沟道区；步骤2、重新生长阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对隔离区进行离子注入，以形成漏极源区和源极源区；步骤3、在漏极源区和源极源区上分别淀积形成漏极金属层和源极金属层；步骤4、重新生长阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，氧化形成绝缘层；步骤5、重新生长阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，并进行刻蚀形成栅极金属淀积区；步骤6、重新生长阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，在栅极金属淀积区淀积，形成栅极金属层，清除所有阻挡层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 泰科天润半导体科技(北京)有限公司 一种增加耐压能力的碳化硅MOSFET的制造方法

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