【发明公布】存储器装置及其制造方法、操作方法_旺宏电子股份有限公司_202110312383.6 

申请/专利权人:旺宏电子股份有限公司

申请日:2021-03-24

公开(公告)日:2022-09-20

公开(公告)号:CN115084147A

主分类号:H01L27/11521

分类号:H01L27/11521;H01L27/11551;H01L27/11568;H01L27/11578;G11C16/34

优先权:["20210310 US 17/249,701"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2022.09.20#公开

摘要:本发明公开了一种存储器装置及其制造方法、操作方法。其中,该存储器装置包括叠层以及存储器串列。存储器串列分别沿着第一方向穿过叠层,包括相邻的第一存储器串列及第二存储器串列。第一存储器串列及第二存储器串列包括导电柱、通道结构以及存储器结构。导电柱包括第一导电柱、第二导电柱及第三导电柱,第一存储器串列及第二存储器串列共享第二导电柱。通道结构包括分别沿着第一方向延伸的第一通道层、第二通道层、第三通道层及第四通道层。第一通道层及第二通道层对应于第一存储器串列且间彼此分开。第三通道层及第四通道层对应于第二存储器串列且彼此分开。存储器结构设置于叠层与通道结构之间。

主权项:1.一种存储器装置,其中,包括:一叠层,形成于一衬底上,该叠层包括交替叠层的多个绝缘层及多个导电层;以及多个存储器串列,分别沿着一第一方向穿过该叠层,这些存储器串列包括相邻的一第一存储器串列及一第二存储器串列,其中该第一存储器串列及该第二存储器串列包括多个导电柱、多个通道结构以及多个存储器结构;其中这些导电柱包括一第一导电柱、一第二导电柱及一第三导电柱,分别沿着该第一方向延伸且彼此电性隔离,该第二导电柱设置于该第一导电柱与该第三导电柱之间,该第一存储器串列及该第二存储器串列共享该第二导电柱;其中这些通道结构包括分别沿着该第一方向延伸的一第一通道层、一第二通道层、一第三通道层及一第四通道层,其中该第一通道层及该第二通道层对应于该第一存储器串列且耦接于该第一导电柱与该第二导电柱,该第一通道层及该第二通道层之间彼此分开;其中该第三通道层及该第四通道层对应于该第二存储器串列且耦接于该第二导电柱与该第三导电柱,该第三通道层及该第四通道层之间彼此分开;以及其中这些存储器结构设置于该叠层与这些通道结构之间。

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