申请/专利权人：天津威盛电子有限公司

申请日：2021-06-15

公开（公告）日：2022-09-20

公开（公告）号：CN115085689A

主分类号：H03H9/17

分类号：H03H9/17

优先权：["20210310 KR 10-2021-0031326"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.10.11#实质审查的生效;2022.09.20#公开

摘要：根据本发明的气隙式膜体声谐振器FBAR可以包括：基板，其上表面上包括气隙部；下电极，其形成在基板上；压电层，其形成在下电极上；上电极，其形成在压电层上；保护层，其形成在上电极上；以及梁结构，其从上电极的一侧以拱形延伸，以限定上电极与压电层之间的空间部，其中，梁结构的一端与压电层接触。

主权项：1.一种气隙式膜体声谐振器FBAR，其特征在于，包括：基板，其上表面上包括气隙部；下电极，其形成在所述基板上；压电层，其形成在所述下电极上；上电极，其形成在所述压电层上；保护层，其形成在所述上电极上；以及梁结构，其从所述上电极的一侧以拱形延伸，以限定所述上电极与所述压电层之间的空间部，其中，所述梁结构的一端与所述压电层接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天津威盛电子有限公司 气隙式FBAR

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