申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2022-03-01

公开（公告）日：2022-09-20

公开（公告）号：CN115083890A

主分类号：H01L21/027

分类号：H01L21/027;G03F7/16

优先权：["20210312 JP 2021-040375"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.12.29#实质审查的生效;2022.09.20#公开

摘要：本发明的基片处理装置和基片处理方法能够在基片形成膜厚均匀的处理膜。本发明的对基片的表面形成处理膜的基片处理装置包括：作为保持基片的基片保持部的旋转卡盘21，其中，该基片涂敷有用于形成处理膜的干燥前的处理液；和气体供给部40，其对由基片保持部保持的基片的表面的周缘部，供给温度比常温高的第1温度的第1气体F1。

主权项：1.一种对基片的表面形成处理膜的基片处理装置，其特征在于，包括：保持基片的基片保持部，其中，所述基片涂敷有用于形成所述处理膜的干燥前的处理液；和包括第1喷嘴部的气体供给部，其中，所述第1喷嘴部对由所述基片保持部保持的所述基片的表面的周缘部，供给温度比常温高的第1温度的第1气体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东京毅力科创株式会社 基片处理装置和基片处理方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD