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【发明公布】太阳能电池接触装置_阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司_202210198134.3 

申请/专利权人:阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司

申请日:2022-03-02

公开(公告)日:2022-09-20

公开(公告)号:CN115084283A

主分类号:H01L31/02

分类号:H01L31/02;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0443;H01L31/05

优先权:["20210302 DE 102021001117.1","20210526 DE 102021002720.5","20210920 DE 102021004707.9"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2022.10.11#实质审查的生效;2022.09.20#公开

摘要:一种太阳能电池接触装置,其具有带有上侧、下侧的半导体本体,半导体本体具有多个太阳能电池堆叠且在下侧上包括载体衬底,且每个太阳能电池堆叠具有布置在载体衬底上的至少两个III‑V族子电池和从半导体本体的上侧延伸至下侧的至少一个贯通接触部,贯通接触部具有连续侧壁,贯通开口在上侧上具有第一边缘区域且在下侧上具有第二边缘区域,且所述第一边缘区域具有第一区段和第二金属区段,且第二边缘区域具有第一区段和第二区段,相应的第二区段完全包围相应的第一区段,且具有绝缘层,绝缘层在第一边缘区域中构造在第一区段上,构造在侧壁上,且在第二边缘区域中构造在第一区段和第二区段上,且具有至少部分地布置在绝缘层上的导电层。

主权项:1.一种太阳能电池接触装置,所述太阳能电池接触装置具有-半导体本体10,所述半导体本体10具有上侧10.1、下侧10.2,其中,所述半导体本体10具有至少一个太阳能电池堆叠12并且在所述下侧处包括载体衬底14;-每个太阳能电池堆叠12具有至少两个III-V族子电池18,20和至少一个贯通接触部22,所述至少两个III-V族子电池布置在所述载体衬底14上,所述至少一个贯通接触部22从所述半导体本体10的上侧10.1延伸至下侧10.2且具有连续的侧壁22.1,其中,所述贯通接触部22在所述上侧10.1处具有第一边缘区域11.1并且在所述下侧10.2处具有第二边缘区域11.2,并且所述第一边缘区域11.1具有第一区段12.1和第二金属区段12.2,所述第二边缘区域11.2具有第一区段13.1和第二区段13.2,其中,-绝缘层24,所述绝缘层24具有5μm至200μm的厚度,其中,所述绝缘层24在所述第一边缘区域11.1中构造在所述第一区段12.1、所述侧壁22.1上,并且在所述第二边缘区域11.2中构造在所述第一区段13.1和所述第二区段13.2上,-导电层32,其中,所述导电层32构造为具有气体夹杂物的异质层,并且所述导电层具有在5μm至200μm之间的厚度,并且所述导电层在所述第一边缘区域11.1中构造在所述第一区段12.1上和至少部分地在所述第二区段12.2上,在所述侧壁22.1处,并且在所述第二边缘区域11.2中,所述导电层构造在所述第一区段13.1内,并且所述导电层32布置在所述绝缘层24上。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司 太阳能电池接触装置

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