申请/专利权人:阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日:2022-03-02
公开(公告)日:2022-09-20
公开(公告)号:CN115084311A
主分类号:H01L31/18
分类号:H01L31/18;H01L31/02;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0443;H01L31/05
优先权:["20210302 DE 102021001116.3"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2022.10.11#实质审查的生效;2022.09.20#公开
摘要:一种用于借助半导体盘中的贯通开口进行贯通接触的方法,所述方法至少包括以下步骤:提供具有上侧、下侧的半导体盘,其中,所述半导体盘具有多个太阳能电池堆叠并且在所述下侧上包括衬底,并且每个太阳能电池堆叠具有布置在所述衬底上的至少两个III‑V族子电池和从所述半导体盘的上侧延伸至下侧的至少一个贯通开口,所述贯通开口具有连续侧壁,其中,所述贯通开口在所述上侧上具有第一边缘区域并且在所述下侧上具有第二边缘区域;借助第一印刷方法将绝缘层施加到所述第一边缘区域的一部分、所述侧壁和所述第二边缘区域上;借助第二印刷方法将导电层施加到所述上侧上的绝缘层和所述第一边缘区域的一部分上、施加到所述侧壁上的绝缘层上并且施加到所述下侧上的绝缘层的一部分上。
主权项:1.一种用于借助半导体盘10中的贯通开口22进行贯通接触的方法,所述方法至少包括以下步骤:-提供半导体盘10,所述半导体盘10具有上侧10.1、下侧10.2,其中,所述半导体盘10具有多个太阳能电池堆叠12且在所述下侧处包括衬底14,并且每个太阳能电池堆叠12具有至少两个III-V族子电池18,20和至少一个贯通开口22,所述至少两个III-V族子电池18,20布置在所述衬底14上,所述至少一个贯通开口22从所述半导体盘10的上侧10.1延伸至所述半导体盘10的下侧10.2且具有连续侧壁22.1,其中,所述贯通开口在所述上侧10.1处具有第一边缘区域11.1并且在所述下侧10.2处具有第二边缘区域11.2;-借助第一印刷方法将绝缘层24施加到所述第一边缘区域11.1的一部分、所述侧壁22.1的一部分上并且施加到所述第二边缘区域11.2上;-借助第二印刷方法将导电层32施加到所述上侧10.1上的绝缘层24和所述第一边缘区域11.1的一部分上、施加到所述侧壁22.1处的绝缘层24上并且施加到所述下侧10.2处的绝缘层24的一部分上。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司 用于贯通接触的方法
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