申请/专利权人：伏达半导体(合肥)有限公司

申请日：2021-12-13

公开（公告）日：2022-09-20

公开（公告）号：CN115088081A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L27/088

优先权：["20201229 US 63/131,658"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.10.11#实质审查的生效;2022.09.20#公开

摘要：一种装置包括：位于衬底102上的第一漏源区116和第二漏源区126；第一栅极134，与第一漏源区116相邻且包括形成第一梳状结构的多个第一指状部；以及第二栅极136，与第二漏源区126相邻且包括形成第二梳状结构的多个第二指状部，其中多个第一指状部和多个第二指状部以交替的方式布置，且第一漏源区116、第二漏源区126、第一栅极134和第二栅极136形成背对背连接的两个晶体管。

主权项：1.一种装置，包括：位于衬底上的第一漏源区和第二漏源区；与所述第一漏源区相邻的第一栅极，所述第一栅极包括形成第一梳状结构的多个第一指状部；以及与第二漏源区相邻的第二栅极，所述第二栅极包括形成第二梳状结构的多个第二指状部，其中，所述多个第一指状部和所述多个第二指状部以交替的方式布置，且所述第一漏源区、所述第二漏源区、所述第一栅极和所述第二栅极形成背对背连接的两个晶体管。

全文数据：

权利要求：

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