【发明公布】固体摄像装置以及摄像装置_新唐科技日本株式会社_202180013545.4 

申请/专利权人:新唐科技日本株式会社

申请日:2021-02-16

公开(公告)日:2022-09-20

公开(公告)号:CN115088074A

主分类号:H01L27/146

分类号:H01L27/146;H04N5/3745

优先权:["20200220 JP 2020-027393"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2022.09.20#公开

摘要:固体摄像装置100具备:光电转换元件120,被形成在半导体衬底150,对通过光电转换而生成的信号电荷进行蓄积;第1扩散层FD1,对从光电转换元件120传输的信号电荷进行保持;电容元件126,对从光电转换元件120溢出的信号电荷进行保持;放大晶体管124,输出与第1扩散层FD1的信号电荷量相应的信号;与第1扩散层FD1连接的触点c1、与所述放大晶体管124的栅极连接的触点c2、以及对触点c1与触点c2进行连接的第1布线w1,半导体衬底150与第1布线w1的最短距离,比半导体衬底150与电容元件126的最短距离小。

主权项:1.一种固体摄像装置,所述固体摄像装置具备:光电转换元件,被形成在半导体衬底,通过光电转换来生成信号电荷;第1扩散层,对从所述光电转换元件传输的所述信号电荷进行保持;电容元件,对从所述光电转换元件溢出的信号电荷进行保持;放大晶体管,输出与所述第1扩散层的所述信号电荷相应的信号;第1触点,与所述第1扩散层连接;第2触点,与所述放大晶体管的栅极连接;以及第1布线,对所述第1触点与所述第2触点进行连接,所述半导体衬底与所述第1布线的最短距离,比所述半导体衬底与所述电容元件的最短距离小。

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