申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2022-03-09

公开（公告）日：2022-09-20

公开（公告）号：CN115084154A

主分类号：H01L27/11565

分类号：H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11578

优先权：["20210312 KR 10-2021-0032831"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.09#实质审查的生效;2022.09.20#公开

摘要：提供了半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统。半导体装置可以包括彼此平行的第一分离结构和第二分离结构、在第一分离结构与第二分离结构之间的块以及块上的位线。块包括串，位线包括电连接到第一串和第二串的第一位线，串中的每个包括串联连接的下选择晶体管、存储器单元晶体管和上选择晶体管，串中的每个中的上选择晶体管包括第一上选择晶体管和在第一上选择晶体管下方的第二上选择晶体管。第一串和第二串的第一上选择晶体管可以共享单个第一上选择栅电极。第一串和第二串的下选择晶体管的栅电极可以包括彼此共面的表面。

主权项：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一分离结构和第二分离结构，在下结构上彼此平行；块，位于所述第一分离结构与所述第二分离结构之间并且位于所述下结构上；以及多条位线，位于所述第一分离结构和所述第二分离结构上并且位于所述块上，其中，所述块包括多个串，所述多条位线包括电连接到所述多个串中的第一串和第二串的第一位线，所述多个串中的每个包括下选择晶体管、多个存储器单元晶体管和多个上选择晶体管，所述多个存储器单元晶体管位于所述下选择晶体管与所述多个上选择晶体管之间，并且所述下选择晶体管、所述多个存储器单元晶体管和所述多个上选择晶体管串联连接，所述多个串中的每个中的所述多个上选择晶体管包括第一上选择晶体管和位于所述第一上选择晶体管与所述多个存储器单元晶体管之间的第二上选择晶体管，所述第一串的所述第一上选择晶体管和所述第二串的所述第一上选择晶体管各自包括单个第一上选择栅电极的第一部分和第二部分，所述第一串的所述下选择晶体管包括第一下选择栅电极，并且所述第二串的所述下选择晶体管包括第二下选择栅电极，所述第二下选择栅电极具有与所述第一下选择栅电极的表面共面的表面并且与所述第一下选择栅电极电隔离。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD