申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2022-03-11

公开（公告）日：2022-09-20

公开（公告）号：CN115083470A

主分类号：G11C11/408

分类号：G11C11/408

优先权：["20210315 US 17/202,110"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.10.11#实质审查的生效;2022.09.20#公开

摘要：本公开涉及一种半导体装置及一种用于形成避免其短路的字线结构的方法。所述半导体装置包含：衬底；存储器单元区，其提供于所述衬底上方；外围区，其提供于所述衬底上方且邻近于所述存储器单元区；多个字线，其跨越所述存储器单元区和所述外围区延伸；及多个触点，其分别连接到所述外围区中的所述多个字线中的偶数编号字线的边缘部分；其中所述多个字线中的所述偶数编号字线的所述边缘部分中的每一者的一侧邻近缺少奇数编号字线的部分；且其中所述多个字线中的所述偶数编号字线的所述边缘部分中的每一者的另一侧邻近另一奇数编号字线的切余部分。

主权项：1.一种半导体装置，其包括：衬底；存储器单元区，其提供于所述衬底上方；外围区，其提供于所述衬底上方且邻近于所述存储器单元区；多个字线，其跨越所述存储器单元区和所述外围区延伸；及多个触点，其分别连接到所述外围区中的所述多个字线中的偶数编号字线的边缘部分；其中所述多个字线中的所述偶数编号字线的所述边缘部分中的每一者的一侧邻近缺少奇数编号字线的部分；且其中所述多个字线中的所述偶数编号字线的所述边缘部分中的每一者的另一侧邻近另一奇数编号字线的切余部分。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 半导体装置及用于形成避免其短路的字线结构的方法

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