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【发明公布】半导体装置_台湾积体电路制造股份有限公司_202210438921.0 

申请/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司

申请日:2022-04-22

公开(公告)日:2022-09-20

公开(公告)号:CN115084373A

主分类号:H01L49/02

分类号:H01L49/02;H01L27/01

优先权:["20210506 US 63/185,181","20210809 US 17/397,400"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2022.09.20#公开

摘要:一种半导体装置,包含第一、第二MIM结构,第一MIM结构包含彼此堆叠的第一底部导体板、第一介电层的第一部分第一中间导体板第二介电层的第一部分以及第一顶部导体板,第二MIM结构包含彼此堆叠的第二底部导体板、第一介电层的第二部分、第二中间导体板、第二介电层的第二部分以及第二顶部导体板,在第二介电层的第二部分上;其中第一底部导体板比第一中间导体板更宽且比第一顶部导体板更宽,而第二底部导体板比第二中间导体板更窄且比第二顶部导体板更窄。

主权项:1.一种半导体装置,包含:一第一金属-绝缘体-金属结构,包含:一第一底部导体板;一第一介电层的一第一部分,位于上述第一底部导体板之上;一第一中间导体板,位于上述第一介电层的上述第一部分之上;一第二介电层的一第一部分,位于上述第一中间导体板之上;以及一第一顶部导体板,位于上述第二介电层的上述第一部分之上;以及一第二金属-绝缘体-金属结构,包含:一第二底部导体板;上述第一介电层的一第二部分,位于上述第二底部导体板之上;一第二中间导体板,位于上述第一介电层的上述第二部分之上;上述第二介电层的一第二部分,位于上述第二中间导体板之上;以及一第二顶部导体板,位于上述第二介电层的上述第二部分之上;其中在一剖面图当中,上述第一底部导体板比上述第一中间导体板更宽,且上述第一中间导体板比上述第一顶部导体板更宽,而上述第二底部导体板比上述第二中间导体板更窄,且上述第二中间导体板比上述第二顶部导体板更窄。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体装置

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